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            Gartner分析師觀點:中國芯片企業在努力,但全球半導體格局基本盤沒變

            電子麥克風 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:張迎輝 ? 2022-05-17 14:25 ? 次閱讀

            作者:張迎輝

            全球知名半導體市場調研機構Gartner副總裁盛陵海(Roger Sheng)日前作了一場面向產業和財經媒體的線上主題直播,對當前的半導體供應鏈形勢作了分析,也針對俄烏戰爭、中國疫情控制新形勢的影響作了解讀,同時還對中國半導體和芯片產業的高速發展與全球半導體的格局對比分析。

            過去兩三年是半導體產業變化最大的時段,全世界的經濟大國和發達地區,都將半導體作為重要的投資和產業調整方向加以重視,再加上疫情、中美脫鉤、新能源汽車和今年突發的俄烏戰爭,無不對半導體的產業供應鏈和終端需求產生了巨大的影響。國內很多的分析師和媒體都有自己的立場和觀點,不過作為歷史悠久的全球頭部半導體調研機構Gartner分析師,對于半導體產業的解讀,我認為更加理性、深刻和全面。

            電子發燒友網編輯也受邀參加,特別做報道分享。

            Gartner研究副總裁盛陵海(Roger Sheng)首先在宏觀上從供給和需求端看了分析。

            一、供應端

            首先,看一下現在的局勢、整個大背景,有非常多的不確定因素。包括:供應端和需求端。供應端這邊我們可以看到美國和中國的關系,美國對中國禁運。最近美國又有一些新聞,說:“要對中國國內的一些半導體企業進行封鎖”或者是說通過一些設備、技術的“卡死”來阻止中國半導體公司的成長。然后,俄羅斯和烏克蘭(戰爭)危機,也是造成了一部分的原材料價格會上升(中國大陸和臺灣)。當然,在我們這邊看來可能還不是最大的問題,但是在歐美的整個政治環境當中,他們認為臺灣問題也是非常大的一個不確定因素。中國大陸現在也是在不斷的加強整個半導體產業投資,新的產能、設備、原材料的切換我們也在看;比如:前一段時間炒作比較厲害的,就是俄羅斯和烏克蘭遭到惰性氣體(氬氣、氖氣)供應不上。其實我們也可以看到,實際上是中國的企業已經在這些方面是作為一個備選。而且前幾年中國惰性氣體的供應商就已經走在世界舞臺上面,但是隨之而來的就是成本的上升。同樣的,我們看到德國、日本也是為了保證供應的多元化,也是加強了新的投資。在Gartner有一個新的定義,叫:“技術民族主義”。技術民族主義的代表,就是中國和美國現在正在進行的半導體生產本土化的競爭。日本、歐洲也有參與到現在的競爭,就是都在投資、花幾百億的錢去投資本土半導體產能建設。我們用這個詞來表示現在的這樣一個狀態!

            二、需求端

            實際上供應端的不確定性因素相對來說還比較好,但是在需求端不確定性的因素更大。主要的幾點:一是通貨膨脹。因為俄羅斯和烏克蘭的危機、戰爭,導致能源價格大幅上升。歐洲能源價格上升了很多、美國也上升了很多,導致整個社會的消費水平會降低。因為特別是歐洲,歐洲那邊的平均工資也不是很高,突然一下子增長的能源價格導致很多家庭不得不減少“無用的支出”。企業也是,為了降低能源方面的支出,它也會降低一部分在IT或者是更換設備上面的投資。美國已經加息了,現在美元匯率高漲;對人民幣、日元、歐元,都是有倒漲的情況。整個產品其實都是以美元為定價基礎的,所以美元的上升對于整個世界的經濟也是一個比較大的沖擊,整個金融/股市也是受到了沖擊。
            還有就是增稅。這個其實蠻有意思,一方面美國講:要增稅。對于中國產品增加稅這個方面,因為美國通脹比較厲害嘛。所以現在也是在討論:是不是免除一部分的產品稅率。還有就是疫情的問題,現在疫情已經在全球范圍內來看的話,現在應該說:大多數國家都認為是在后期了。但是其實你可以看臺灣,臺灣現在剛剛進入新的高漲期,中國這邊上海還在“封城”。這個“封城”也是造成供應鏈很大的影響,包括:生產、需求端,我們看到一些數字非常慘淡。像汽車、手機,這些消費類的產品。因為供應和需求的兩部分都是受到了極大的沖擊,所以看今年整個半導體市場的不穩定因素太多、非常多。

            接下來是Gartner對全球半導體市場整體增長的預測。

            圖1:Gartner全球半導體營收預測2022年1季度更新 (2020-2026年)


            其實這個我們是每個季度會更新的,這個預測是在差不多2月底、3月初做的。實際上3月初有一個比較大的事情,就是當時上海還沒有“封城”。如果考慮到上?!胺獬恰币蛩氐脑?,可能會對今年整個半導體市場還會有一定的下調。去年整個半導體市場的增長是26.3%,深藍色的部分是最新的更新、灰色的是上個季度的。比較來看,去年增長還是很強勁的。主要增長來自于兩部分:一部分,需求的反彈。包括汽車、智能手機、數據中心等等。去年實際上是有一定的反彈,在前年比較低的基礎上面。但是更大的影響因素,其實是芯片單價ASP的上升。包括內存、以及缺貨造成的很多器件價格大幅上升。功率器件、芯片/網絡芯片/手機4G芯片等等,都有比較大的上升。所以整體來看,去年26.3%的增長并不是說整個消費電子或者說整個半導體的消費量有那么大的增長。在這里面半導體消費量的增長可能只有10%左右,另外的百分之十幾其實是來自于ASP價格的上升。價格的上升在今年其實還會延續,所以今年我們預測是13.6%的增長。但是實際上整個對于半導體需求來看的話,應該不會有很大的增長。除了新能源車,數據中心可能會有一些增長,中國最近在搞“西數東算”這些工程,然后再加上一些數據中心建設會有點好的需求、需求增長。但是像智能手機,今年是非常不太看好。然后,疫情造成的整個通貨膨脹會導致需求下降。

            整體來看,今年半導體市場的增長應該會比13.6%低,增長主要的驅動力還是來自于單價的增長。最近我們也看到新聞,臺積電和一些歐美的半導體公司都是在提價、繼續漲價。整體來看,2023年預期整個半導體的增長會下滑,2024年有可能會進入衰退期。如果整個歐洲戰爭,我們講俄羅斯對烏克蘭戰爭不停的話,能源價格繼續高漲、不穩定因素繼續增大。然后,再加上新冠繼續“搗亂”的話,實際上半導體市場的衰退有可能會提前到來。

            中長期來看,我們還是保持一個樂觀的態度看待將來的市場增長。當然,這個前提就是世界需要和平。如果我們把“內存”芯片都拿掉,因為“內存”是一個非常大的影響因素,就是它的價格波動性比較大。我們如果把Memory部分拿走,剩下的非Memory部分的整個增長基本上還是比較穩定的一個增長,這個其實也是過去很多年以來整個半導體產業顯示出的特征——Memory波動造成整體半導體市場的波動。但是除去Memory之外,整個半導體市場的增長還是比較穩定的。主要的來源,像手機芯片、數據中心芯片、CPU、汽車芯片、工業芯片等等。

            全球Top 25 芯片企業的透視

            圖2:2021年全球半導體營收榜單前25增長率數據


            這張圖是代表了全球前25位半導體公司的市場表現在去年2021年的市場表現。有些公司把三星放在第一位、英特爾放在第二位,我們是把三星放在第一位。最重要的原因,是英特爾有一部分是非半導體的營收,我們要把這一部分給拿掉。拿掉之后,它就比三星稍微低一點。大部分的廠商都是增加的,而且是增加比較多的。比較少增加的,其實是兩個公司:一個是英特爾,一個是索尼。這兩個公司主要就是因為英特爾去年的市場份額被MD和蘋果占掉蠻大的,對于它整個業績有一定的影響。索尼是因為華為,華為這一塊的份額沒有之后,對于它的業績也是有比較大的影響。整體的來看,前20位的公司是成長27.4%。前25位的公司,其實是占了77.5%的市場總體營收份額。前面的前10位,大的Memory公司都在這里面。包括三星、SK hynix、Micoron、KIOXIA。表現比較突出的,像聯發科、AMD、英偉達,這幾個公司都是表現非常突出。聯發科手機芯片,去年它的手機芯片5G增長非???,其實也占了高通供應不上、上游不給力的機會,找準機會占有市場比較大的份額。Realtek也是臺灣公司,它的機會其實也是大陸的這些電視機廠商、液晶屏的廠商,它也是抓住了這個增長的機會。特別是去年上半年缺貨比較厲害,導致它的價格也是有一定的上升。AMD表現非常好,它在服務器芯片上面突破了英特爾的壟斷?,F在整個形勢來看、英特爾應該是非常著急,對于AMD的進攻是非常著急。英偉達主要的增長,我們看兩方面:一方面,GPU挖礦。GPU挖礦去年很好,然后它又出來了一個專門的挖礦芯片,之后它的GPU“挖礦”的需求下來了,但是專用于“挖礦”芯片的業績也是增長蠻快的。更大的一塊,是來自于多數據中心。去年它有推出新的一些數據中心專用的AI加速,包括一些網絡芯片,這方面支撐了業務的快速增加。

            全球Top 10晶圓代工廠的營收分析

            我們看看整個Foundries的排名來看,TSMC是一騎絕塵。

            一樣的,TSMC一騎絕塵。從增長來看的話,包括三星、上海的華虹宏力、臺灣的PSMC(力積晶),它們的增長是非??斓?。三星的Foundry主要的增長點,其實是來自于高通的5G芯片和英偉達的GPU以及谷歌的一些DPU的芯片。還有挖礦芯片,去年挖礦芯片增長也是很好。然后,PSMC力積晶。力積晶這個公司,相信去年各位可能也聽說、國內的一些公司在力積晶那邊也是很郁悶,漲價漲的飛快。因為它主要是做一些像DDI或者是特色工藝,所以它的需求量來看的話,因為去年抓住了缺貨這個機會,大漲價。上海的華虹宏力是因為去年有無錫工廠產能開出來之后,12寸的工廠開出來之后,產能的供應能力大大增加。另外的一些公司比較突出的,可能是中芯國際。中芯國際雖然沒有新產能開出來,但是去年半導體的短缺和它在先進工藝上面,比如14nm上面的產能增加、業務的增加,也是支撐了增長比較快的一個因素。

            我們可以看在7nm先進工藝,7nm、5nm,特別是5nm去年應該說增長了198%,增長非???。7nm是17%,16nm增長不快,但是主要是因為產能沒有很大的增加??偟膩砜?,Foundry公司去年產能增加的主要部分,都是在先進工藝,先進工藝和28nm上面。然后價格上升比較厲害的,都是在特色工藝、傳統工藝上面,就是說我們講的65nm以下的這些工藝,它的單價上升是很快的。所以在這方面,我們可以看到這個體現,28nm增長18%。40nm增長不多,因為40nm往28nm去遷移了。65nm的MCU這些、這種老的或者我們講傳統產品的增加是非??斓?,單價也是上升非???。90nm同樣?!?.18um”的那個為什么增長不是很大呢?因為“0.18um”往再下實際上是沒有新增產能了。因為原來都是8寸嘛。然后,一部分工廠都是在把8寸的產能往12寸去遷移。這個遷移的過程需要一定的時間,所以在這方面、就是我們看到未來的一個供應的趨勢也是會表現出這個特征。

            在哪些工藝上面它的投資會比較大?就會將來它的營收或者供應能力就會有比較大的增加。同樣的如果哪些工藝上面投資比較小,這樣的話、會導致未來的缺貨可能會更嚴重。比如:16nm/14nm。16nm/14nm工藝節點,目前看起來包括三星、臺積電等其它的一些公司,在這些方面投資應該是比較小。中國大陸想投資這個工藝節點,但是美國“卡”住你,所以也是比較頭疼的一件事情。

            在28nm上面,我們看到整個投資計劃還是比較大的。所以在28nm方面,我們認為未來幾年28nm的供應能力會有大大的增加,特別是中國的像中芯國際在北京、上海和深圳都有新的28nm工廠的建設計劃。如果都完成的話,對于整個28nm的供應會有比較大的提升。

            對于Foundry公司來說,它最希望的是能夠花最少的錢獲得最大的利潤。特別是在臺積電這邊,它就是要投資5nm。但是對于其它的公司來說,它不做先進工藝的話、可能就是會考慮投資一些可能需求量比較大的,像“0.18um”、從8寸轉到12寸或者一些特色工藝,碳化硅、第三代半導體,或者就是說我們講55nm以下的一些特色的工藝的一些產能的開發。

            最后看中國半導體廠商市場情況,中國大陸Top 25 fabless企業營收。

            圖3:2021年中國芯片公司營收榜單前25的成長率


            我們可以看一下,中國半導體市場的份額前25位來看,韋爾半導體去年業績排榜首,差不多有三個多Billions的營收,過去這是海思的位置,它取代了海思成為了國內最大的半導體廠商。然后我們看其它的公司,前25位的其它公司最后一位差不多也要有差不多5億美金的水平,這個比之前、我們講前幾年的“截止線”應該是高了很多。我記得十年前前十位的中國半導體公司差不多營收就是兩億美金左右就可以上榜。然后不斷的提升,三億、四億,然后現在沒有個五億、六億,你是上不了前十的。整體的市場去年你非常好,絕大部分公司都是增長非???,海思除外。海思為什么下降81%?這個原因大家都知道。講的哲學一點,其實就是整個市場有一個這種現象“一鯨落,萬物生”。

            最后總結一下中國半導體市場的位置。有的人很樂觀,說:“蒸蒸日上,每年都增長那么多?!钡菃栴}是,全世界也是在增長。去年的確是比全球的平均水平增長高一點、快一點,但是如果把海思算上的話、其實就沒有太大的變動。

            以下內容為行業媒體與盛總的問答,同樣很精彩,摘一些列出。

            電子發燒友網:“中國的手機芯片市場份額因為海思的原因,從13%下滑了很多?,F在國產手機芯片的市場份額大概是多少?”

            盛陵海:應該是差不多六點幾吧。我們講這個是從營收的角度。如果從出貨量的角度,應該是更高一點。因為國內主要的芯片廠是展銳,展銳芯片單價比較低。如果從出貨數量,可能有10%左右。但是從金額來看,還是比較低的。除了展銳之外,我們也觀察到ASR也在努力在這方面發展,包括一些初創公司、但是應該說是為時尚早。除了手機芯片之外,展銳也是做了一些物聯網芯片。物聯網芯片的機會還是很大的,它做的Cat-1這幾年也是成長很快。因為本身中國市場有非常大存量的2G用在IOT、M2M的工業上面,這個市場遲早是要被替代的。那么,國內的運營商選擇MBIoT和Cat-1這也是給國內廠商的一個機會。做手機芯片,門檻還是還是太高了。

            21世紀財經:“今年半導體供需是否會出現局部領域的供過于求?”

            盛陵海:已經供過于求了呀。其實去年下半年開始,一部分已經供過于求了。包括:DRAM也是,去年下半年已經供過于求了。因為去年上半年有一些公司就開始囤貨,因為大家都說DRAM價格要漲、當時所有人都說要漲,美國的一些公司就開始囤貨、一些數據公司、互聯網公司就要囤貨,反正它是要用的嘛。囤完了以后,需求量上去、導致價格上升。下半年上漲了價格,他們就不買了或者買的少了,那么價格就下降了。這是一個季節性的市場供需不平衡波動。

            近年來看,其實手機芯片應該說有一部分芯片已經是庫存過多了。包括5G的一些芯片,老的5G芯片、包括一些前端的芯片、CIS,包括手機的一些內存,甚至包括一些手機相關的DDI等等,其實都是有過剩的情況。除此之外,消費類相關的、入門門檻比較低的產品,消費電子用的一些芯片也開始有一些庫存增加的情況。相對來說,這個需求還是比較堅挺的,跟行業應用、工業、汽車相關的目前還是比較堅挺。還有就是從產品類別來看,模擬芯片、MCU,一部分工業MCU,包括Power,就是這種“0.18um”以下工藝做的這些Power器件、工業器件、模擬器件還是比較好的、受歡迎?,F在的整個市場,從結構性的缺貨已經轉化為局部性的或者是說特定領域缺貨,這個情況還是蠻明顯的。

            21世紀財經:“您怎么看待Chiplet的國產化機遇,國內目前在該領域有差距的地方在哪里?”

            盛陵海:國內這個差距很大。國內誰能做Chiplet?從先進封裝來看,有非常多的國內廠商說我們已經在做先進封裝。因為“先進封裝”這個概念是很大的,比如CIS產品?,F在很多CIS產品都是BIS。它其實就是已經要利用到先進封裝。但是實際上現在重新定義的Chiplet,其實是要把不同的先進工藝芯片高速連接、要把原先芯片與芯片之間的PCIe接口轉化為硅片和硅片連接的這種模式,而這種生產技術在國內目前還是沒有人能夠做到的。

            先進封裝不代表被Intel等國際半導體領先公司定義的Chiplet!Chiplet應該說是比先進封裝的定義范圍更小?,F在應該這樣說,而且它對于先進制造工藝是有要求的?,F在像蘋果、英偉達、AMD、英特爾做Chiplet做的比較多的產品,其實都是先進工藝的。首先,先進工藝在國內現在就是沒有辦法做、現在,因為美國“卡”死你了。再去談Chiplet,再去談什么,其實意義就不大了。

            如果是利用臺積電去做Chiplet,這個成本也是很高的、也沒有幾家能夠承受住。我說的這幾家基本上都是很有錢的,手機芯片里面都不會去用Chiplet?,F在為止,蘋果已經是用到先進封裝2.5D的先進封裝,都不好叫做Chiplet,更不要說高通和聯發科?;旧犀F在Chiplet比較狹窄的定義,目前大多數應用還是在數據中心里面,能夠承受高價的、高成本的這些產品應用里面。因為它的成本真的是非常高。

            中國電子報:“對于半導體企業而言,面對市場增速降低、是應當另辟新的賽道還是繼續深耕原本的技術。為什么?”

            盛陵海:我最近又發了一個報告,就是關于中國的芯片廠商如何建立創新的產品。如果范圍是局限于“中國廠商”的話,中國廠商在過去都是比較低維度的競爭,降低成本打入市場?,F在的這種做法應該說是隨著國內的這些公司成長到一定的程度,比如:、你成長到3億美金、5億美金了,這樣的做法就有一個問題、就是說是不是再往后還能通過這種“跟隨模式”能夠贏得更多的市場。首先要看我這個細分市場到底在什么位置,你自己衡量你在這個細分市場占到百分之多少的市場份額。一般來說,你到20%以上差不多。你再往上走,就會越來越難。少數的公司能夠到50%以上,基本上就飽和了。比如匯頂。匯頂在指紋識別芯片上面做到全球第一,去年的增長基本上是停滯的。那么,它就要考慮我要另辟新的賽道。

            當你在這個行業里面做到老大、老二位置的時候,你必定是要考慮新的賽道??赡艿侥愠蔀槔洗蟮臅r候,這個已經晚了、應該提早提前準備。這是一種模式。還有一種模式,我在這個賽道里面雖然已經成長了很多,但是這個賽道非常寬、還可以繼續挖,我看市場份額只有百分之幾,那么我就先要想辦法把它做到10%以上,這樣我才有話語權、我才有機會在這個市場上獲得更多的利益。那么,就繼續深耕這個市場,把這個競爭力做上去。沒有到10%以上,談什么“另辟賽道”我覺得沒有意義,辟一個死一個。因為你沒有決心把一個市場做到10%以上,你其它的也很難做好,都是淺嘗輒止、就是吃一點市場份額就滿意了,這種模式應該也很難維持。這是我的基本觀點。

            電子技術應用:“盡管人工智能多年受到熱捧,當下AI芯片企業卻普遍存在盈利困難。您如何看待人工智能芯片的發展前景?”

            盛陵海:人工智能芯片發展很快,跟人工智能相關的芯片發展很快、它的成長是非??斓?。只是那些所謂專門做人工智能芯片的初創公司發展不快而已,英偉達我就不說了。蘋果的手機芯片里面都帶MPU,高通也帶、聯發科也帶。這些傳統的芯片公司,現在都在把它原來的芯片里面加人工智能功能,去做人工智能做的事情。我們的定義是認為,它就是帶人工智能的芯片。所以這個問題,應該是帶人工智能功能芯片的成長其實是很好的、很快的,只是說單純的不去做人工智能芯片的這些初創公司不是很成功而已。

            因為不但面臨兩個問題。第一,人工智能不是光硬件的問題,是要整個生態系統。這個生態系統要去跟誰競爭?跟英偉達競爭。即使是谷歌做了一個TPU,它也做人工智能芯片,但是它在它的服務器里面還要應用到大量的英偉達,因為這是一個標準、就等于是行業的一個通用的東西,就好像有點像現在英偉達在通用人工智能計算里面它的位置就有點像英特爾x86在通用計算里面的位置。

            那么,你再講到終端上面的。你單純的一個人工智能芯片,怎么去和人家一個單芯片去比呢?人家一個單芯片要做的就是把人工智能的能力植入進去、植入到這個芯片里面變成帶人工智能的芯片。而你一個單純的人工智能芯片,怎么去和人家比呢?你要自己再做一個完整的系統芯片嗎?這個入門門檻就高了。所以這個是很客觀存在的問題,大概三年前的時候我們就講,所謂的真正的純粹人工智能芯片公司跟已經成熟的芯片公司去開發人工智能這個功能、這個能力相比的話。未來誰會贏?!

            電子產品世界:“雙碳政策對于對于半導體廠商有沒有影響?”

            盛陵海:“雙碳”就是碳排放、碳中和、碳達峰,這個有影響。主要就是像一些功率器件會有需求增加,因為“雙碳”政策具體實施肯定是要搞很多新能源。太陽能、逆變器,很多工廠要搞太陽能發電的設備等等,會促進在新能源生產方面的半導體相關的需求。包括:新能源車。這方面的需求是必定會增加的,然后其它的芯片上面、可能會推行一些“降低功耗”、用更先進的工藝等等。

            但是目前來看,并沒有很大的直接的沖擊。因為“雙碳”說老實話,現在俄羅斯搞成這樣、歐洲人都不說“雙碳”了。未來這個“雙碳”怎么走,我們現在也不是很清楚了。當然,直接的影響肯定是我剛才講的,就是相關的功率半導體。

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              消費者對當日或次日配送日益強烈的期望助推了產品在倉儲設施中運輸的提速。如今,消費者在網購時已愈發習慣....
              的頭像 21克888 發表于 06-06 18:02 ? 1954次 閱讀
              可穿戴設備和機器人技術在倉儲管理中的實踐考量

              溢流晶片清洗工藝中的流場概述

              引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場。該信息被用于一項倡議,其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用....
              的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-06 17:24 ? 251次 閱讀
              溢流晶片清洗工藝中的流場概述

              貿澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協議 提供工業級存儲產品

              2022年6月6日?– 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser E....
              的頭像 21克888 發表于 06-06 17:09 ? 193次 閱讀
              貿澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協議 提供工業級存儲產品

              中國中科大光量子芯片重磅問世

              根據公開數據顯示,2021年中國芯片進口總額達到4326億美元,創下歷史新高,而且未來進口額可能還將....
              的頭像 要長高 發表于 06-06 15:10 ? 611次 閱讀

              納微半導體通過全球首家CarbonNeutral?公司認證

              氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體宣布,正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問機構Natura....
              的頭像 科技綠洲 發表于 06-06 14:48 ? 120次 閱讀

              使用外部閃存的安全嵌入式系統設計

                預計包含安全閃存的設計將變得更加普遍,甚至對于滿足不斷發展的安全要求至關重要。攻擊正變得越來越普....
              的頭像 星星科技指導員 發表于 06-06 10:55 ? 90次 閱讀
              使用外部閃存的安全嵌入式系統設計

              中國半導體濕電子化學品市場情況分析

              濕電子化學品是微電子制造技術的關鍵性材料,在顯影、蝕刻、清洗等工藝中必不可少,直接關系到下游產品質量....
              的頭像 tjxinrui 發表于 06-06 10:46 ? 88次 閱讀

              不只是光刻機,還有這一半導體材料依賴進口

              在半導體生產制造領域,如今可以說是沒有光刻機寸步難行。即便如此,有了制造設備,沒有材料的支撐也是造不....
              的頭像 E4Life 發表于 06-06 10:21 ? 799次 閱讀
              不只是光刻機,還有這一半導體材料依賴進口

              全球半導體設備市場Q1同比增長27%,封測裝備國產化率持續提升

              電子發燒友網報道(文/莫婷婷)就在6月,國際半導體產業協會SEMI發布了第一季度的《全球半導體設備市....
              的頭像 Monika觀察 發表于 06-06 10:06 ? 579次 閱讀
              全球半導體設備市場Q1同比增長27%,封測裝備國產化率持續提升

              晶圓表面污染該如何處理

              晶圓表面的潔凈度會影響后續半導體工藝及產品的合格率,甚至在所有產額損失中,高達50%是源自于晶圓表面....
              的頭像 tjxinrui 發表于 06-04 09:27 ? 67次 閱讀

              上海重啟,產業復蘇

              電子發燒友網報道(文/黃山明)6月1日零時一過,沉寂了兩個月之久的上海重新啟動,交通恢復正常,門店重....
              的頭像 Simon觀察 發表于 06-03 00:59 ? 1347次 閱讀
              上海重啟,產業復蘇

              通過解決測試時間減少ASIC設計中的DFT占用空間

                在本文中,我們檢查了掃描壓縮確實有助于減少 ASIC 設計中的測試時間 (DFT),但掃描通道減....
              的頭像 星星科技指導員 發表于 06-02 14:25 ? 113次 閱讀
              通過解決測試時間減少ASIC設計中的DFT占用空間

              第三代半導體制造材料碳化硅性能優勢突出

              半導體材料市場空間廣闊,制造材料銷售額占比不斷提高。全球半導體材料銷售額規模不斷上升,2015 年至....
              的頭像 濾波器 發表于 06-02 10:21 ? 224次 閱讀

              你知道怎么構建芯片可靠性模型嗎?

              然而,人工智能、機器學習、數字孿生體等新興技術的發展,將會進一步改善晶圓廠封裝協調、快速識別良率問題....
              的頭像 e星球 發表于 06-02 10:14 ? 183次 閱讀

              手動探針臺的工作原理及應用范圍

              手動探針臺是廣泛應用于半導體行業的綜合經濟型測試儀器,主要用于半導體芯片的電參數檢測。
              的頭像 tjxinrui 發表于 06-02 10:06 ? 103次 閱讀

              半導體企業華微電子發布2022第一季度報告

              半導體企業吉林華微電子股份有限公司發布2022第一季度報告,具體內容如下。 一、 主要財務數據 (一....
              的頭像 汽車玩家 發表于 06-02 09:07 ? 246次 閱讀

              惚恍微發布Spot dToF系統,為國內首發

              近日,惚恍微發布自研的Spot dToF(散斑直接飛行時間)系統,為國內首發。 Spot dToF是....
              的頭像 Felix分析 發表于 06-02 00:07 ? 1264次 閱讀
              惚恍微發布Spot dToF系統,為國內首發

              偉測半導體成功過會!募集6億元擴充高端產能,服務紫光展銳、兆易創新等大廠

              電子發燒友網報道(文/劉靜)5月26日,科創板上市委發布2022年第43次審議會議結果公告。公告顯示....
              的頭像 Tanya解說 發表于 06-02 00:02 ? 596次 閱讀
              偉測半導體成功過會!募集6億元擴充高端產能,服務紫光展銳、兆易創新等大廠

              供應鏈危機導致全球汽車制造商損失超5000億美元

              在過去兩年中,有關供應鏈問題和半導體短缺的新聞層出不窮,許多汽車制造商曾因此而宣布停產并遭受了損失。....
              的頭像 21克888 發表于 06-01 17:49 ? 452次 閱讀
              供應鏈危機導致全球汽車制造商損失超5000億美元

              Socionext低功耗HD-PLC通信芯片于2022年第三季度開始量產

              SoC設計與應用技術領導廠商Socionext Inc.(以下“Socionext”)宣布,基于IE....
              的頭像 科技綠洲 發表于 06-01 17:32 ? 1331次 閱讀

              InGaP層去除GaAs外延蓋層的選擇性濕法蝕刻工藝

              半導體器件的制造工程已使光電儀器、激光二極管和無線通信設備以及許多其他現代設備成為可能。從巴丁、布里....
              的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-01 17:23 ? 294次 閱讀
              InGaP層去除GaAs外延蓋層的選擇性濕法蝕刻工藝

              睿感半導體推出APCI一體式環境組合傳感器

              近日,睿感(濟南)半導體有限公司(ScioSense)宣布,可精確檢測空氣質量的最新產品——APC1....
              的頭像 科技見聞網 發表于 06-01 16:06 ? 320次 閱讀

              通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷

              引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術開發過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AI....
              的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-01 15:55 ? 5206次 閱讀
              通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷

              濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究

              摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而,粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將....
              的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 06-01 14:57 ? 4915次 閱讀
              濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究

              半導體供應鏈放緩和更智能數據共享的需求

                當然,還有一種替代 Athnia 方法的方法:單獨創建數據基礎。Athnia 領導層估計,這將需....
              的頭像 星星科技指導員 發表于 06-01 09:07 ? 147次 閱讀

              華進半導體獲“2021年度區科技創新貢獻獎”

              2022年5月30日,無錫高新區(新吳區)召開全區人才工作暨科技創新大會,華進半導體榮獲“2021年....
              的頭像 科技綠洲 發表于 05-31 17:52 ? 315次 閱讀

              用于汽車負載應用的高側SmartFET驅動器

              onsemi現在提供一系列從 45 mΩ 到 160 mΩ的高端 SmartFET 。這些器件是受保....
              的頭像 星星科技指導員 發表于 05-31 17:23 ? 315次 閱讀
              用于汽車負載應用的高側SmartFET驅動器

              22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰和新方法

              本文描述了我們華林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關鍵挑戰并概述了....
              的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 05-31 16:51 ? 2089次 閱讀
              22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰和新方法

              蝕刻硅晶片和(PE)CVD腔室清洗的生命周期環境影響

              半導體和光伏產業使用氟化氣體來蝕刻硅晶片和(PE)CVD室清潔,期望的結果是由于F原子和其他活性物質....
              的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 05-31 16:27 ? 204次 閱讀
              蝕刻硅晶片和(PE)CVD腔室清洗的生命周期環境影響

              一種簡化數據和改進控制的高性能方法

                每當需要將父 loT 分解為 50 個或更多子事務時,高性能方法都表現出色,因為它使用批量而不是....
              的頭像 星星科技指導員 發表于 05-31 15:23 ? 143次 閱讀
              一種簡化數據和改進控制的高性能方法

              蒸汽相氟化氫對晶片清洗和氧化物刻蝕的表征

              半導體設備技術和工藝控制的不斷進步,加上制造亞微米尺寸器件對襯底清潔度提出的更嚴格要求,重新引起了人....
              的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 05-31 15:14 ? 94次 閱讀
              蒸汽相氟化氫對晶片清洗和氧化物刻蝕的表征

              罕見!三星和Intel欲達成合作,雙方高層展開會晤

              日前,三星方面稱,三星和Intel就半導體領域合作一事展開了會晤,分別由三星副董事長李在镕和Inte....
              的頭像 汽車玩家 發表于 05-31 14:46 ? 197次 閱讀

              聚焦六大應用,第四屆中國芯應用創新設計大賽IAIC正式開啟

              受疫情波動、科技競爭、經濟環境等宏觀因素影響,近年來全球集成電路產業鏈經歷了一次次重大考驗。在此之中....
              的頭像 21克888 發表于 05-31 11:10 ? 400次 閱讀
              聚焦六大應用,第四屆中國芯應用創新設計大賽IAIC正式開啟

              西門子與GlobalFoundries合作提供可信硅光子驗證

                硅光子學使公司能夠將光纖直接引入集成電路。然而,硅光子器件包含彎曲布局,而不是傳統 CMOS 設....
              的頭像 星星科技指導員 發表于 05-31 10:08 ? 212次 閱讀

              半導體零部件主要分類與產業主要特點

              按照半導體零部件的主要材料和使用功能來分,可以將其分為十二大類,包括硅/碳化硅件、石英件、陶瓷件、金....
              的頭像 半導體工藝與設備 發表于 05-31 09:40 ? 216次 閱讀

              美國半導體業界眼中的挑戰與機遇

              電子發燒友網報道(文/周凱揚)在美國政府極力推動芯片法案下,美國的半導體生產制造業似乎已經收獲了一定....
              的頭像 E4Life 發表于 05-31 00:08 ? 1295次 閱讀
              美國半導體業界眼中的挑戰與機遇

              使用全濕法去除Cu BEOL中的光刻膠和BARC

              這項研究首先集中于去除直接沉積在硅襯底上的193納米厚的光刻膠和BARC層,使用傅里葉變換紅外光譜(....
              的頭像 華林科納半導體設備制造 發表于 05-30 17:25 ? 234次 閱讀
              使用全濕法去除Cu BEOL中的光刻膠和BARC

              安謀科技與合作伙伴構建產業生態戰略定位

              安謀科技聯席CEO劉仁辰首先闡述了安謀科技立足于支持中國半導體產業可持續發展的理念以及協同客戶構建產....
              的頭像 科技綠洲 發表于 05-30 17:05 ? 354次 閱讀

              MiniLED逆勢增長,國內供應鏈份量更重

              電子發燒友網報道(文/黃晶晶)2022年以來消費電子出現了出貨量下滑的形勢,然而MiniLED產業仍....
              的頭像 花茶晶晶 發表于 05-30 15:24 ? 706次 閱讀
              MiniLED逆勢增長,國內供應鏈份量更重

              半導體制冷片控制板開發技術用到的功能模塊有哪些?

              半導體制冷片控制板開發技術需要用到的功能模塊有哪些?有知道的朋友嗎?展開講講? ...
              發表于 05-22 18:26 ? 4958次 閱讀

              半導體激光焊錫電源相關資料下載

              半導體激光焊錫電源 連續直接輸出激光器 高功率高精度電源直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率,輸...
              發表于 12-29 08:00 ? 2416次 閱讀

              大功率半導體激光電源的作用有哪些

              大功率半導體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率半導體直接輸出激光器介紹直接半導體激光器輸出功率涵蓋...
              發表于 12-29 07:24 ? 2226次 閱讀

              無源組件與有源元件及機電組件的功能區別

              無源組件不能放大信號,并且它們不會產生機械運動。有源元件可以放大信號。機電組件將電能轉換為機械運動,將機械運動轉換為電能...
              發表于 12-29 07:04 ? 1202次 閱讀

              半導體直接輸出激光器介紹

              半導體直接輸出激光器介紹研制的直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率,輸出功率穩定。200W以下的...
              發表于 12-29 06:21 ? 2545次 閱讀

              LDO穩壓器有何作用

                 LDO穩壓器通常是任何給定系統中成本最低的元件之一,但從成本/效益角度來說,它往往是最有價值的元件之一。除了輸出電壓...
              發表于 12-28 07:59 ? 848次 閱讀

              怎樣去使用vim的基礎命令

              vim從入門到精通--基礎命令使用                     ...
              發表于 12-23 06:23 ? 1264次 閱讀

              電源內阻對DC-DC轉換器效率的影響

               DC-DC轉換器常用于采用電池供電的便攜式及其它高效系統,在對電源電壓進行升壓、降壓或反相時,其效率高于95%。電源內阻是...
              發表于 11-16 08:52 ? 1134次 閱讀

              LDO類的電源轉換芯片

               LDO是low dropout regulator,意為低壓差線性穩壓器,是相對于傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器,如78xx系列的芯片...
              發表于 11-16 08:50 ? 1055次 閱讀

              正確理解DC/DC轉換器

               一、正確理解DC/DC轉換器:  DC/DC轉換器為轉變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉換器。DC/DC轉換器分為三類:...
              發表于 11-16 06:32 ? 1126次 閱讀

              LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

              LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
              發表于 01-08 17:51 ? 2030次 閱讀
              LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

              TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

              TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
              發表于 01-08 17:51 ? 569次 閱讀
              TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

              TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

              TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
              發表于 01-08 17:51 ? 508次 閱讀
              TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

              LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

              LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
              發表于 01-08 17:51 ? 621次 閱讀
              LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

              TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

              TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢酝ㄟ^在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
              發表于 01-08 17:51 ? 1187次 閱讀
              TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

              INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

              INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
              發表于 01-08 17:51 ? 658次 閱讀
              INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

              LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

              LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
              發表于 01-08 17:51 ? 717次 閱讀
              LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

              LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

              LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
              發表于 01-08 17:51 ? 1230次 閱讀
              LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

              AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

              AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
              發表于 01-08 17:51 ? 2677次 閱讀
              AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

              OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

              OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
              發表于 01-08 17:51 ? 2233次 閱讀
              OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

              TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

              TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
              發表于 01-08 17:51 ? 420次 閱讀
              TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

              DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

              DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
              發表于 01-08 17:51 ? 574次 閱讀
              DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

              TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

              TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
              發表于 01-08 17:51 ? 606次 閱讀
              TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

              TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

              這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
              發表于 01-08 17:51 ? 633次 閱讀
              TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

              LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

              LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
              發表于 01-08 17:51 ? 1069次 閱讀
              LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

              TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

              TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
              發表于 01-08 17:51 ? 1081次 閱讀
              TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

              LM358B 雙路運算放大器

              LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
              發表于 01-08 17:51 ? 1178次 閱讀
              LM358B 雙路運算放大器

              LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

              LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
              發表于 01-08 17:51 ? 648次 閱讀
              LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

              LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

              LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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              LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

              LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

              LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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