<form id="thnbx"><nobr id="thnbx"><nobr id="thnbx"></nobr></nobr></form>

<form id="thnbx"></form>

            <form id="thnbx"></form>

            <address id="thnbx"><nobr id="thnbx"></nobr></address>
            <sub id="thnbx"><listing id="thnbx"></listing></sub>

            <form id="thnbx"><nobr id="thnbx"><nobr id="thnbx"></nobr></nobr></form>

            創作

            完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦, 立即完善>

            3天內不再提示

            EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應晶體管

            來源:廠商供稿 ? 作者:宜普電源轉換公司 ? 2022-05-17 17:51 ? 次閱讀

            宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管(EPC2071),為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應用。

            全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增強型氮化鎵(eGaN?)功率場效應晶體管和集成電路,最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ的EPC2071氮化鎵場效應晶體管,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。



            EPC2071也是BLDC電機驅動的理想器件,包括電動自行車、電動摩托車、機器人、無人機和電動工具。EPC2071的尺寸是硅MOSFET的1/3,具有相同的導通電阻,QG是MOSFET的1/4,死區時間可以從500 ns縮減至20 ns,從而優化電機和逆變器的效率且減少噪音。

            EPC2071的設計與EPC第4代產品系列兼容,包括EPC2021、EPC2022和EPC2206。第五代產品在面積×導通電阻方面的改進使EPC2071具有與上一代產品相同的導通電阻,但尺寸卻縮小了26%。

            宜普電源轉換公司的聯合創始人兼首席執行官Alex Lidow說:"EPC2071是40 V~60 V/12 V~5V的LLCDC/DC轉換器初級側的理想開關器件。這個100 V的器件與上一代100 V的氮化鎵場效應晶體管相比,性能更高且成本更低,讓設計人員以低成本實現更高的效率和更高的功率密度。這個器件也適用于電信、服務器電源供電和太陽能應用。此外,EPC2071比等效硅器件的價格更低,而且可以立即發貨!"

            EPC9174參考設計板是一個1.2kW、48 V輸入、12V輸出的LLC轉換器。它采用EPC2071作為初級側全橋器件,在22.9 mm x 58.4 mm x 10 mm的小尺寸內,實現1 MHz的開關頻率和1.2 kW的功率(功率密度為1472 W/in3)。550 W時的峰值效率為97.3%,12 V時的滿載效率為96.3%,可提供100 A輸出功率。

            EPC2071用卷帶包裝,以1000片為單位批量購買,每片價格為3.81美元。EPC9174開發板的單價為498美元,可從Digi-Key立即發貨,網址為https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc。

            有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設計人員可使用EPC GaN Power Bench 的交叉參考工具,根據您所需的特定工作條件,我們會推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網頁找到:交叉參考搜索 (epc-co.com)。

            收藏 人收藏

              評論

              相關推薦

              一種高度靈敏的CD63抗體功能化硅納米線Bio-FET

              研究人員對硅納米線Bio-FET進行了制造和表征,如圖1a和圖2所示,該器件由硅納米線FET器件和P....
              的頭像 微流控 發表于 06-08 09:28 ? 85次 閱讀

              氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機的電機驅動器

              基于氮化鎵器件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面,優化了電機....
              的頭像 21克888 發表于 06-06 18:29 ? 841次 閱讀
              氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機的電機驅動器

              納微半導體發生新人事任命

              氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克代碼:NVTS)宣布已任命 Ron Shelton 為新....
              的頭像 科技綠洲 發表于 06-02 10:32 ? 301次 閱讀

              EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場效應晶體管, 可實現最高功率密度

              宜普電源轉換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管(EPC2066),為設計工....
              的頭像 21克888 發表于 06-01 10:22 ? 603次 閱讀
              EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場效應晶體管, 可實現最高功率密度

              Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規氮化鎵功率模塊達成合作

              基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布與國際著名的為汽車行業提供先進電子器件的供....
              的頭像 21克888 發表于 05-23 10:58 ? 1378次 閱讀
              Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規氮化鎵功率模塊達成合作

              意法半導體首款采用氮化鎵晶體管的VIPer器件介紹

              VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高....
              的頭像 半導體芯科技SiSC 發表于 05-20 10:58 ? 261次 閱讀

              閃極Retro 35W氮化鎵充電器,重現經典電腦造型

              經典麥金塔設計,充電狀態屏幕,挑戰充電器設計創新可能 5 月 20 日,閃極科技正式發布 Retro....
              的頭像 話說科技 發表于 05-20 10:34 ? 176次 閱讀
              閃極Retro 35W氮化鎵充電器,重現經典電腦造型

              意法半導體和MACOM射頻硅基氮化鎵原型芯片制造成功

              意法半導體和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有....
              的頭像 科技綠洲 發表于 05-20 09:16 ? 252次 閱讀

              射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎設施應用帶來巨大的發展潛力

              意法半導體和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有....
              的頭像 意法半導體中國 發表于 05-19 10:26 ? 1586次 閱讀

              UnitedSiC宣布推出行業先進的高性能 1200 V 第四代 SiC FET

              中國北京 -?2022 年 5 月 17 日 – 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解....
              的頭像 21克888 發表于 05-17 11:55 ? 1014次 閱讀
              UnitedSiC宣布推出行業先進的高性能 1200 V 第四代 SiC FET

              采用LDR6282的PD協議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解

              雙口DRP USB PD Controller LDR6282,順利通過了USB-IF的PD3.0認....
              的頭像 HUB芯片方案分享 發表于 05-13 09:32 ? 2469次 閱讀
              采用LDR6282的PD協議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解

              意法半導體首款氮化鎵功率轉換器瞄準下一代50W高能效電源設計

              VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高....
              的頭像 21克888 發表于 05-12 17:47 ? 4625次 閱讀
              意法半導體首款氮化鎵功率轉換器瞄準下一代50W高能效電源設計

              納微半導體發布第三代氮化鎵平臺NV6169功率芯片

              美國加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半....
              的頭像 科技綠洲 發表于 05-11 11:24 ? 389次 閱讀

              PN8213 65w氮化鎵充電器芯片應用方案

              氮化鎵快充已然成為了當下一個非常高頻的詞匯,在氮化鎵快充市場迅速增長之際,65W這個功率段恰到好處的....
              的頭像 深圳市驪微電子 發表于 05-09 16:42 ? 517次 閱讀
              PN8213 65w氮化鎵充電器芯片應用方案

              納微半導體宣布開設全新電動汽車設計中心

              下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到,并減少20%道路二氧化碳....
              的頭像 半導體芯科技SiSC 發表于 05-09 09:41 ? 198次 閱讀

              納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V,實現更高效率和可靠性

              圖片 ? 采用 GaNSense? 技術的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實現更....
              的頭像 21克888 發表于 05-05 11:13 ? 844次 閱讀
              納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V,實現更高效率和可靠性

              納微半導體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進入快充市場

              氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaN....
              的頭像 科技綠洲 發表于 05-05 10:32 ? 399次 閱讀

              三星宣布業界首個3nm級制造技術開始大量生產

              納米線是直徑在納米量級的納米結構。納米線技術的基本吸引力之一是它們表現出強大的電學特性,包括由于其有....
              的頭像 要長高 發表于 04-29 10:07 ? 1184次 閱讀
              三星宣布業界首個3nm級制造技術開始大量生產

              EPC新推面向激光雷達應用、通過車規認證的集成電路

              宜普電源轉換公司?(EPC)宣布推出通過車規認證的晶體管和集成電路最新成員,針對飛行時間激光雷達(T....
              的頭像 21克888 發表于 04-28 17:59 ? 1516次 閱讀
              EPC新推面向激光雷達應用、通過車規認證的集成電路

              一文詳解GaN氮化鎵電源技術

              第一代半導體材料:主要指Si、Ge元素為主的半導體,它們是半導體分立器件、集成電路和太陽能電池的基礎....
              發表于 04-28 10:40 ? 267次 閱讀
              一文詳解GaN氮化鎵電源技術

              合粵固態電容概述、分類及優缺點

              氮化家是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性....
              的頭像 東莞市合粵電子 發表于 04-28 09:59 ? 421次 閱讀

              使用氮化鎵(GaN)提高電源(PSU)能效

              提高能效一直是電源制造商的一個長期目標。這是真正的“雙贏”,因為這不僅降低運行成本,而且減少了以熱的....
              的頭像 安森美 發表于 04-27 10:13 ? 316次 閱讀

              如何對氮化鎵基發光二極管結構進行干法刻蝕

              氮化鎵作為一種寬帶隙半導體,已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化....
              發表于 04-26 14:07 ? 270次 閱讀
              如何對氮化鎵基發光二極管結構進行干法刻蝕

              直擊氮化鎵領域的無限可能! 讓氮化鎵不再神秘,泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技

              中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發力第三代半導體測試解決方案的泰克科技,最近攜手英諾賽科....
              的頭像 21克888 發表于 04-25 16:30 ? 455次 閱讀
              直擊氮化鎵領域的無限可能! 讓氮化鎵不再神秘,泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技

              現場可編程門陣列 (FPGA) 電源設計

              為了擴大 GaN 在汽車、并網存儲和太陽能等新應用中的應用(圖 3),TI 正在展示其自己的對流冷卻....
              的頭像 要長高 發表于 04-22 17:20 ? 1613次 閱讀
              現場可編程門陣列 (FPGA) 電源設計

              倍思發布全新“第五代”氮化鎵充電器 英諾賽科新推150W低壓氮化鎵

              倍思發布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W,支持PD3.1、QC4+、QC3....
              的頭像 西西 發表于 04-22 10:16 ? 902次 閱讀

              大聯大友尚集團推出基于Diodes產品的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案

              2022年4月19日,致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下友尚推出....
              的頭像 21克888 發表于 04-19 14:33 ? 751次 閱讀
              大聯大友尚集團推出基于Diodes產品的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案

              倍思發布160W氮化鎵充電器

              昨日晚間,倍思召開了 2022 年春季新品發布會,帶來20余款新品,隨即倍思發布了全新“第五代”氮化....
              的頭像 lhl545545 發表于 04-19 09:19 ? 630次 閱讀

              杰華特推出四管升降壓控制器JW3702,專為PD快充應用設計

              杰華特推出四管升降壓控制器JW3702,專為PD快充應用設計
              發表于 04-18 11:16 ? 13次 閱讀

              杰華特推出升降壓芯片JW3651:可用于USB PD移動電源

              杰華特推出內置MOS升降壓芯片JW3651:可用于USBPD移動電源
              發表于 04-18 11:15 ? 12次 閱讀

              杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片,滿足65W快充應用

              杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片,滿足65W快充應用
              發表于 04-18 11:13 ? 12次 閱讀

              杰華特聯合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案打造大功率高端

              杰華特聯合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案,JW1550,JW7726B打造大功率高端標配
              發表于 04-18 11:12 ? 9次 閱讀

              JFET和MOSFET之間的區別是什么

              電壓控制的場效應晶體管(FET),主要用于放大弱信號,主要是無線信號,放大模擬和數字信號。 場效應晶....
              的頭像 科技觀察員 發表于 04-16 17:15 ? 2959次 閱讀
              JFET和MOSFET之間的區別是什么

              如何判斷場效應管的好壞

              場效應管(FieldEffectTransistor)又稱場效應晶體管,是利用控制輸入回路的電場效應....
              的頭像 科技觀察員 發表于 04-16 16:55 ? 865次 閱讀

              一種強有力的各向異性濕法化學刻蝕技術

              我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良....
              發表于 04-14 13:57 ? 195次 閱讀
              一種強有力的各向異性濕法化學刻蝕技術

              意法半導體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件

              VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W....
              的頭像 意法半導體PDSA 發表于 04-09 13:28 ? 659次 閱讀

              EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低

              氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統設計人員而設計,在極小的芯片級封裝中,實現?350 V、8....
              的頭像 21克888 發表于 04-08 16:01 ? 4307次 閱讀
              EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低

              氮化鎵的十大關鍵要點

              GaN 可為射頻應用帶來獨特的優勢。GaN 獨特的材料屬性可為射頻系統提供高功率附加效率 (PAE)....
              的頭像 旺材芯片 發表于 04-06 09:47 ? 421次 閱讀

              高效率算力電源、礦機電源方案

                AC 交流電壓通過電感 L 再接到 Q1,Q2 氮化鎵功率管上,利用氮化鎵體內超快 TRR 特性....
              發表于 04-01 14:42 ? 124次 閱讀

              雙向儲能電源設計3000W 6000W,氮化鎵雙向逆變器設計教程

                AC 交流電壓通過 EMI 濾波,接到電感 Lf 上,再通過 totem pole PFC 無橋....
              發表于 04-01 14:39 ? 548次 閱讀

              氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區別在哪里?

              氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導體器件已作為方案出現。這些器件與長使用壽....
              的頭像 安森美 發表于 04-01 11:05 ? 898次 閱讀

              淺談氮化鎵和碳化硅的區別

              幾十年來,硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發....
              的頭像 安森美 發表于 04-01 11:02 ? 1315次 閱讀

              TP65H035BS氮化鎵場效應晶體管英文手冊

                TP65H035BS 650V,35m? 氮化鎵(GaN)場效應晶體管增強模式常關設備。Tran....
              發表于 03-31 15:07 ? 69次 閱讀

              TP65H035G4QS氮化鎵場效應晶體管英文手冊

                TP65H035G4QS 650V,35MΩ氮化鎵(GaN)場效應晶體管是一款使用Transph....
              發表于 03-31 15:05 ? 126次 閱讀

              TP650H070L氮化鎵FET英文手冊

                TP650H070L系列650V,72m? 氮化鎵(GaN)FET是常關器件。它們結合了最先進的....
              發表于 03-31 15:03 ? 58次 閱讀

              TP65H480G4JSG氮化鎵FET英文手冊

              TP65H480G4JSG 650V,480m? 氮化鎵(GaN)FET是一種使用Transphor....
              發表于 03-31 15:02 ? 63次 閱讀

              氮化鎵集成方案如何提高功率密度

              GaN場效應晶體管包括耗盡型(d-mode)、增強型(e-mode)、共源共柵型(cascode)等....
              的頭像 十億少男的夢 發表于 03-31 09:32 ? 362次 閱讀
              氮化鎵集成方案如何提高功率密度

              氮化鎵30W-100W的控制IC都有什么技術組成。

              控制、管理IC分別有什么(元器件)
              發表于 03-31 09:24 ? 2704次 閱讀

              100KHZ DAB 3.3KW 雙向充電方案

              雙向DAB結構,采用氮化鎵硬開關特性,降低輕載及空載時損耗。 更多的可以下載附件介紹 ************* ...
              發表于 03-30 17:19 ? 2896次 閱讀
              100KHZ DAB 3.3KW 雙向充電方案

              雙向便攜式 儲能電源500W 1000W 2000W 3000W

              可直接查看下面附件資料。內有詳細說明 雙向儲能是需要管子有一個很好的開關特性,這點上,以往的硅管子如要實現這點非常難...
              發表于 03-26 21:42 ? 6950次 閱讀
              雙向便攜式 儲能電源500W 1000W 2000W 3000W

              嘉和半導體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

              附件: 嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹 ...
              發表于 03-23 17:06 ? 3649次 閱讀

              帶你一起去發掘MOS管在電路中電源反接

              MOS管是電路保護中不可或缺的重要保護器件,尤其是在各類便攜式電子產品中,使用最為廣泛普遍,自誕生開始,MOS管憑借著功...
              發表于 12-30 06:03 ? 575次 閱讀

              傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

              傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN) 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的...
              發表于 09-23 15:02 ? 3301次 閱讀
              傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

              氮化鎵充電器

              現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機平板,甚至筆記本電腦充電。...
              發表于 09-14 08:35 ? 1610次 閱讀

              aN2 Pro氮化鎵充電器的選購過程和使用

              由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是...
              發表于 09-14 08:28 ? 942次 閱讀

              如何實現小米氮化鎵充電器

              如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,H...
              發表于 09-14 06:06 ? 1133次 閱讀

              同步整流在氮化鎵GaN充電器中有哪些應用?

              MP6908之所以受到這么多產品應用設計,主要是有什么特點? 把同步整流管分別放在次級側的低端和高端有什么區別嗎? ...
              發表于 07-02 06:33 ? 1327次 閱讀
              奶白受哭腔gv,日韩美AAA特级毛片,扒开美女的内裤看到它的j

              <form id="thnbx"><nobr id="thnbx"><nobr id="thnbx"></nobr></nobr></form>

              <form id="thnbx"></form>

                        <form id="thnbx"></form>

                        <address id="thnbx"><nobr id="thnbx"></nobr></address>
                        <sub id="thnbx"><listing id="thnbx"></listing></sub>

                        <form id="thnbx"><nobr id="thnbx"><nobr id="thnbx"></nobr></nobr></form>